Le matériau d'emballage électronique en cuivre de tungstène possède à la fois les propriétés de faible dilatation du tungstène et les propriétés de conductivité thermique élevée du cuivre.Ce qui est particulièrement précieux, c'est que son coefficient de dilatation thermique et sa conductivité thermique peuvent être conçus en ajustant la composition du matériau apporté une grande commodité.
FOTMA utilise des matières premières de haute pureté et de haute qualité, et obtient des matériaux d'emballage électroniques WCu et des matériaux de dissipateur thermique avec d'excellentes performances après pressage, frittage à haute température et infiltration.
1. Le matériau d'emballage électronique en cuivre de tungstène a un coefficient de dilatation thermique réglable, qui peut être adapté à différents substrats (tels que : acier inoxydable, alliage de valve, silicium, arséniure de gallium, nitrure de gallium, oxyde d'aluminium, etc.) ;
2. Aucun élément d'activation de frittage n'est ajouté pour maintenir une bonne conductivité thermique ;
3. Faible porosité et bonne étanchéité à l'air ;
4. Bon contrôle de la taille, finition de surface et planéité.
5. Fournir des feuilles, des pièces formées, peut également répondre aux besoins de la galvanoplastie.
Qualité matérielle | Teneur en tungstène % en poids | Densité g/cm3 | Dilatation thermique ×10-6CTE (20℃) | Conductivité thermique W/(M·K) |
90WCu | 90±2% | 17.0 | 6.5 | 180 (25℃) /176 (100℃) |
85WCu | 85±2% | 16.4 | 7.2 | 190 (25℃)/ 183 (100℃) |
80WCu | 80±2% | 15.65 | 8.3 | 200 (25℃) / 197 (100℃) |
75WCu | 75±2% | 14.9 | 9.0 | 230 (25℃) / 220 (100℃) |
50WCu | 50±2% | 12.2 | 12.5 | 340 (25℃) / 310 (100℃) |
Matériaux adaptés à l'emballage avec des dispositifs à haute puissance, tels que des substrats, des électrodes inférieures, etc. ;grilles de connexion hautes performances ;tableaux de contrôle thermique et radiateurs pour dispositifs de contrôle thermique militaires et civils.